3-2中信建投证券股份有限公司关于北京燕东微电子股份有限公司向特定对象发行股票之上市保荐书

中信建投证券股份有限公司
关于
北京燕东微电子股份有限公司
向特定对象发行股票
之
上市保荐书
保荐人
二〇二五年二月

保荐人及保荐代表人声明
中信建投证券股份有限公司及本项目保荐代表人张林、侯顺已根据《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》等法律法规和中国证监会及上海证券交易所的有关规定，诚实守信，勤勉尽责，严格按照依法制定的业务规则和行业自律规范出具上市保荐书，并保证所出具文件真实、准确、完整。

目 录

释 义 ...... 3
一、发行人基本情况 ...... 4
二、发行人本次发行情况 ...... 13三、本次证券发行上市的保荐代表人、协办人及项目组其他成员情况、联系地
址、电话和其他通讯方式 ...... 16
四、关于保荐人是否存在可能影响公正履行保荐职责情形的说明...... 17
五、保荐人按照有关规定应当承诺的事项...... 18六、保荐人关于发行人是否已就本次证券发行上市履行了《公司法》《证券法》
和中国证监会及上海证券交易所规定的决策程序的说明...... 19七、保荐人关于发行人是否符合国家产业政策所作出的专业判断以及相应理由
和依据，以及保荐人的核查内容和核查过程...... 20
八、保荐人关于发行人本次证券发行符合上市条件的说明...... 21
九、持续督导期间的工作安排 ...... 25
十、保荐人关于本项目的推荐结论...... 26
释 义
在本上市保荐书中，除非另有说明，下列词语具有如下特定含义：
保荐人、中信建投证券 指 中信建投证券股份有限公司
本上市保荐书 指 中信建投证券股份有限公司关于北京燕东微电子股份
有限公司向特定对象发行股票之上市保荐书
公司、发行人、燕东微、 指 北京燕东微电子股份有限公司
上市公司
本项目 指 北京燕东微电子股份有限公司向特定对象发行股票项
目
本次向特定对象发行、本 指 北京燕东微电子股份有限公司向特定对象发行股票之
次发行 行为
股票、A 股 指 获准在境内证券交易所上市、以人民币标明面值、以
人民币认购和进行交易的普通股股票
定价基准日 指 计算本次向特定对象发行股票发行价格的基准日
中国证监会 指 中国证券监督管理委员会
上交所、交易所 指 上海证券交易所
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
《公司章程》 指 《北京燕东微电子股份有限公司公司章程》
《注册管理办法》 指 《上市公司证券发行注册管理办法》
股东大会 指 北京燕东微电子股份有限公司股东大会
董事会 指 北京燕东微电子股份有限公司董事会
监事会 指 北京燕东微电子股份有限公司监事会
募投项目 指 拟使用本次发行募集资金进行投资的项目
报告期、报告期内 指 2021 年度、2022 年度、2023 年度及 2024 年 1-9 月
元、万元、亿元 指 人民币元、万元、亿元
注：本上市保荐书中所引用数据，如合计数与各分项数直接相加之和存在差异，或小数点后尾数与原始数据存在差异，可能系由精确位数不同或四舍五入形成的。
一、发行人基本情况
（一）发行人概况
公司名称 北京燕东微电子股份有限公司
公司简称 燕东微
证券代码 688172
上市交易所 上海证券交易所
法定代表人 张劲松
成立日期 1987 年 10 月 6 日
注册资本 120,289.4111 万元1
统一社会信用代码 91110000101125734D
注册地址 北京市朝阳区东直门外西八间房
董事会秘书 霍凤祥
电话 010-50973019
传真 010-50973016
电子信箱 bso@ydme.com
制造、加工半导体器件；设计、销售半导体器件及其应用技术服务；
自营和代理各类商品及技术的进出口业务，但国家限定公司经营或禁
止进出口的商品及技术除外；机动车公共停车场服务；出租商业用房、
经营范围 出租办公用房；物业管理。（市场主体依法自主选择经营项目，开展
经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开
展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营
活动。）
（二）发行人主营业务、核心技术、研发水平
1、主营业务
公司主营业务包括产品与方案和制造与服务两大类。公司主要市场领域包括
1 注：2024 年 12 月 2 日，公司召开了第二届董事会第七次会议，审议通过了《关于向 2024
年限制性股票激励计划激励对象首次授予限制性股票的议案》。根据公司《北京燕东微电子
股份有限公司 2024 年限制性股票激励计划（草案）》 的相关规定及公司 2024 年第三次临
时股东大会的授权，公司向激励对象授予第一类限制性股票 379 万股，前述授予的股票已于
2024 年 12 月 19 日在中国证券登记结算有限责任公司上海分公司完成登记，公司股本由
1,199,104,111.00 元变更为 1,202,894,111.00 元。截至本上市保荐书出具日，公司尚未办理完毕公司章程修订及工商变更登记手续。

消费电子、电力电子、新能源和高可靠应用等。公司产品与方案板块的产品包括
分立器件及模拟集成电路、高可靠集成电路及器件。公司制造与服务板块聚焦于
提供半导体开放式晶圆制造和封装测试服务。目前拥有一条 8 英寸晶圆生产线、
一条 6 英寸晶圆生产线、一条 6 英寸 SiC 晶圆生产线、一条工艺节点 65nm 12
英寸晶圆生产线和一条在建工艺节点 28nm 12 英寸晶圆生产线。
2、核心技术、研发水平
公司主营业务包括产品与方案、制造与服务两大板块，经过多年积累，公司
在主要业务领域均已形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，相关核心技术
均已经成熟并广泛应用于公司批量生产的产品中。公司主要核心技术情况如下：
（1）产品与方案板块核心技术
序 产品类别 核心技术名称 核心技术简介、技术先进性及具体表征
号
数字三极管设计及工 1.通过优化的版图布局和纵向结构设计，使产品具有较高的工作电压和电流增益；
艺技术 2.通过精细多晶电阻加工工艺，可以提高偏置电阻的精度。
低噪声高频三极管设 1.通过优化结构设计，降低晶体管的结电容，并得到优化的参数特性曲线，提高
计及工艺技术 了器件的工作频率；
2.优化的温度梯度及退火工艺设计，提高晶体管参数的一致性。
射频功率 VDMOS 管 1.采用低栅电阻工艺技术，有效降低器件的栅电阻，提高器件高频工作性能；
设计及工艺技术 2.通过低电荷工艺，提高器件鲁棒性；3.采用超薄硅片加工工艺，提升器件的热稳
定性。
分立器件 1.通过对器件屏蔽和栅结构的优化设计，提高了对漂移区的电场调制能力，提高
及模拟集 射频功率 LDMOS 管 器件的击穿电压，并可防止热流子效应的发生；
1 设计及工艺技术 2.采用介质填充的沟槽等工艺，提高器件的热稳定性和寿命；
成电路 3.采用内置的保护结构，提高器件的抗静电能力。
ECM 前置放大器设计 1.通过隔离、栅和阱工艺的优化设计，缩短了产品的加工流程，降低了加工成本；
及工艺技术 2.通过电阻形成工艺的优化，使电路的工作状态更稳定；
3.通过各种器件的布局优化，缩小了芯片的尺寸，降低了产品的单芯片成本。
1.通过优化的版图布局和纵向结构设计，使产品具备较低的电容，可以保护工作
浪涌保护电路设计及 在更高频的器件；
工艺技术 2.通过高浓度的掺杂工艺和多晶缓冲层工艺，可以提高产品的抗浪涌能力；
3.通过优化的减薄工艺和背面金属化工艺，实现 100 微米以下超薄晶圆加工，可
以降低产品的钳位电压和封装热阻。
表贴高速光
高可靠集 高可 电耦合器结 通过高可靠陶瓷小外壳结构设计，实现超高速光电耦合器的结构优化，光耦合效
成电路及 靠光 构设计及工 率的一致性好，50Mb/s 超高速光电耦合器填补了高可靠光耦领域国内空白。
2 艺控制技术
器件 电 门驱动光电 采用发光芯片与输出端门驱动集成电路匹配技术，通过对射式耦合传输结构，完
耦合器结构 成门驱动光电耦合器产品结构设计，在工艺控制方面，通过多键合丝，达到分流

设计及工艺 的效果，提升产品可靠性。
控制技术
功率输出型 利用光伏芯片其自身结构特有的光电效应产生电动势，驱动后端 VDMOS 工作，