东芯股份(688110):推进SLC NAND/Nor Flash/MCP制程升级

2023年报:东芯股份营业收入5.31亿元,同比-53.70％;实现归属于上市公司股东的净利润为-3.06亿元,同比-265％;归母扣非净利润为-3.27亿元,同比-298％。2023年公司研发费用1.82亿元,研发投入比34.34％。2023年业绩基本符合预期。

   东芯股份是国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM产品的存储芯片Fabless公司,工信部"专精特新小巨人企业"。2019年,SLCNANDFlash全球市场规模约为16.71亿美元,东芯股份SLCNANDFlash市场份额约为1.26％;2019年利基型DRAM全球市场规模约为55亿美元;2021年全球NORFlash市场规模约31亿美元。东芯股份在利基存储芯片市场份额仍为低个位数。2024年2月,公司拟设立上海一芯通感技术有限公司,新增Wi-Fi7无线通信芯片业务。

   东芯股份晶圆代工厂主要为中芯国际和力积电,封测厂主要为紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、ATSemicon等公司。在晶圆代工厂及封装测试厂方面均集中度较高,前五大供应商采购占比超80％。成本结构保持相对稳定,原材料占比约80％,封测费用占比保持在15％左右,2021-2022年半导体周期影响成本结构波动。

   东芯股份SLCNAND及NORFlash采用力积电和中芯国际先进工艺制程量产,采用1xnmNANDFlash、48nmNORFlash领先工艺制程。SLCNANDFlash主流工艺制程仍是2x-3xnm制程,2xnm制程工艺节点的产品开始逐步上市销售,预计在未来将陆续取代38nm-40nm工艺节点产品。LPDDR产品已有DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2,新产品LPDDR4x已完成可靠性验证。基于48nm、55nm制程,东芯股份NORFlash产品最高至1Gb容量。

   东芯半导体下游主要为通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品,推进产品从工规走向车规。2022年,东芯基于中芯国际38nm工艺平台的SLCNANDFlash以及基于力积电48nm工艺平台的NORFlash均有产品通过AEC-Q100测试。2023年,公司已有产品向境外知名的Tier1销售。

   下调盈利预测,维持"增持"评级。由于目前SLCNAND复苏缓慢,将2024-2025年归母净利润预测从1.95/3.36亿元下调至0.70/1.81亿元,新增2026年预测2.95亿元。2024年利基半导体存储盈利能力仍处于修复期,利润率远低于历史水平,参考可比公司(瑞芯微、格科微、芯海科技)2025年PE均值为52X,对应东芯股份中期目标市值空间11％,维持"增持"评级。

   风险提示:1)研发团队风险2)技术升级导致产品迭代风险3)供应商集中度较高风险