广立微:2025年半年度报告

杭州广立微电子股份有限公司
2025 年半年度报告
2025-044
2025 年 8 月

第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
公司负责人郑勇军、主管会计工作负责人陆春龙及会计机构负责人(会计主管人员)盛龙凤声明：保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。
本报告中如有涉及未来的计划、业绩预测等方面的内容，均不构成本公司对任何投资者及相关人士的承诺，投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬请投资者注意投资风险。
请投资者认真阅读本半年度报告全文，并特别注意相关风险因素，具体内容详见本报告“第三节管理层讨论与分析”之“十、公司面临的风险和应对措
施”，敬请投资者注意投资风险。
公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。

目录

第一节 重要提示、目录和释义...... 2
第二节 公司简介和主要财务指标...... 8
第三节 管理层讨论与分析...... 11
第四节 公司治理、环境和社会...... 45
第五节 重要事项...... 47
第六节 股份变动及股东情况...... 55
第七节 债券相关情况...... 62
第八节 财务报告...... 63
备查文件目录
1、载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（主管会计人员）签名并盖章的财务报表；
2、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告原稿；
3、经公司法定代表人签名、公司盖章的 2025 年半年度报告及摘要文本原件；
4、其他相关资料。

释义
释义项 指 释义内容
广立微/本公司/公司 指 杭州广立微电子股份有限公司
长沙广立微 指 长沙广立微电子有限公司
上海广立微 指 广立微（上海）技术有限公司
广立测试 指 杭州广立测试设备有限公司
深圳广立微 指 深圳广立微电子有限公司
亿瑞芯 指 上海亿瑞芯电子科技有限公司
亿瑞芯共创 指 上海亿瑞芯共创企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
芯未来 指 杭州芯未来股权投资有限公司
新加坡广立微 指 SMTX TECHNOLOGIES SINGAPORE PTE.LTD.
广立芯创 指 杭州广立芯创软件有限公司
北京广立微 指 广立微（北京）技术有限公司
三星电子 指 Samsung Electronics Co.,Ltd.
SK海力士 指 SK Hynix Inc
华力 指 上海华力微电子有限公司、上海华力集成电路制造有限公司，隶属于上海华虹（集
团）有限公司
卓胜微 指 江苏卓胜微电子股份有限公司
格科微 指 格科微有限公司
新思科技/Synopsys 指 Synopsys, Inc.
楷登电子/Cadence 指 Cadence Design Systems Inc
西门子/Siemens 指 SiemensAG
Ansys 指 ANSYS, Inc.
Altair 指 Altair Engineering Inc-A
Electronic Design Automation，又称电子设计自动化，即使用计算机软件对集成电
EDA 指 路等电子系统进行自动辅助设计的过程。集成电路设计中使用的计算机辅助设计软
件可称为 EDA软件
成品率/良率 指 在集成电路制造中，指完成所有工艺步骤后测试合格的芯片的数量与整片晶圆上的
有效芯片的比值
晶圆厂 指 指专门从事晶圆加工代工的工厂、企业
AI 指 Artificial Intelligence，即人工智能
WSTS 指 World Semiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统计组织
2.5/3D 封装 指 先进的芯片集成技术，通过堆叠或并排互连多个芯片（Die），突破传统单芯片封装
的性能与面积限制，实现更高密度、更高带宽和更低功耗的系统集成
DDR 指 Double Data Rate，一种内存技术标准，允许在时钟信号的上升沿和下降沿传输数
据，常见版本包括 DDR2、DDR3、DDR4、DDR5 等
HBM 指 High Bandwidth Memory，高带宽存储器，通过 3D封装堆叠和宽总线设计提供超高
带宽，常用于 GPU、AI 加速芯片等需要高速数据处理的场景
Dynamic RandomAccess Memory，即动态随机存取存储器，是一种半导体存储器，
DRAM 指 主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是 1 还
是 0
SRAM 指 Static Random-Access Memory，即静态随机存取存储器，其不需要刷新电路即能保
存它内部存储的数据
FLASH 指 一般指闪存芯片
NAND Flash 指 一种非易失性存储技术（断电后数据不丢失），广泛应用于固态硬盘（SSD）、U
盘、内存卡、手机存储等设备中

半导体芯片制造过程中所使用的工艺技术等级，通常以纳米（nm）为单位表示
制程/工艺节点 指 （如 7nm、5nm、3nm等），用于描述晶体管的关键尺寸（如栅极长度），制程的进
步直接影响芯片的性能、功耗和集成度
Fab 指 Fabrication（制造），同 Foundry，指专门负责生产、制造芯片的厂家，常称作晶圆
制造代工商
Fabrication（制造）和 less（无、没有）的组合词；一指集成电路市场中，没有制
Fabless 指 造业务、只专注于设计的一种运作模式，通常也被称为“Fabless 模式”；也用来指
代无芯片制造工厂的 IC设计公司，经常被简称为“无晶圆厂”或“Fabless厂商”
IDM 指 Integrated Device Manufacturer，是集成电路行业中采用垂直集成制造模式的企业，
主要业务包含了芯片设计、晶圆制造、封测等全部芯片制造环节
Foundry 指 指专门负责生产、制造芯片的厂家，常称作晶圆制造代工商
封测 指 半导体器件封装和测试两个环节的统称
nm 指 纳米，是一个长度单位
Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管，是一种 3D结构晶体管，用于替代
FinFET 指 传统的平面型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），以解决芯片制程微缩
后的漏电和功耗问题
I/O 指 Input/Output，输入/输出，通常指数据在内部存储器和外部存储器或其他周边设备
之间的输入和输出
5G 指 5th Generation，第五代移动通信技术
System on Chip，一种将计算系统的所有或大部分功能集成到单个芯片上的技术，
SoC 指 一个典型的 SoC 可能包括中央处理器、图形处理单元、内存、输入/输出接口、以
及其他专用功能模块（如信号处理器、无线通信模块等）
硅光 指 一种基于硅基材料的光电子集成技术，将传统的光学器件与硅芯片结合，利用光信
号替代电信号进行数据传输，解决高速互连中的带宽、功耗和延迟问题
SEMI 指 Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体产业协会
Chemical Mechanical Polishing/Planarization，化学机械抛光/平坦化，是半导体制造
CMP 指 中的关键工艺，用于在芯片制造过程中对晶圆表面进行全局平坦化处理，确保多层
电路结构的精准堆叠
DFM 指