华润微:2025年半年度报告

公司代码：688396 公司简称：华润微
华润微电子有限公司
2025 年半年度报告

重要提示
一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”中的“四、风险因素”。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人何小龙、主管会计工作负责人吴国屹及会计机构负责人（会计主管人员）吴从韵声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司2025年半年度利润分配预案为：公司拟以实施2025年半年度分红派息股权登记日的总股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利0.26元（含税），预计派发现金红利总额为3,451.58万元（含税），占公司2025年半年度合并报表归属于上市公司股东净利润的比例为10.19%，公司不进行资本公积金转增股本，不送红股。公司2025年半年度利润分配预案已经公司第三届董事会第三次会议审议通过，尚需公司股东会审议通过。
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
√适用 □不适用
公司治理特殊安排情况：
√本公司为红筹企业
公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司，公司治理模式与适用中国法律、法规及规范性文件的一般 A 股上市公司的公司治理模式存在一定差异。
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用

目录

第一节 释义...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标......6
第三节 管理层讨论与分析......9
第四节 公司治理、环境和社会......27
第五节 重要事项......30
第六节 股份变动及股东情况......44
第七节 债券相关情况......50
第八节 财务报告......51
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的
备查文件目录 财务报告
报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及
公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
本公司、公司、华润微电子、 China Resources Microelectronics Limited（华润微电
CRM、华润微 指 子有限公司）。在用以描述公司资产、业务与财务
情况时，根据文义需要，亦包括其各分子公司
董事会 指 华润微电子有限公司董事会
股东会 指 华润微电子有限公司股东会
《章程》 指 《经第九次修订及重列的组织章程大纲和章程细
则》
中国华润、实际控制人 指 中国华润有限公司，本公司的实际控制人
CRH、华润集团 指 China Resources (Holdings) Company Limited（华润
（集团）有限公司）
CRH (Micro) 、华润集团（微电 指 CRH (Microelectronics) Limited（华润集团（微电子）
子）、控股股东 有限公司），本公司的控股股东
中国证监会 指 中国证券监督管理委员会
上交所 指 上海证券交易所
元、万元、亿元 指 人民币元、万元、亿元
本报告期、报告期 指 2025 年 1 月 1 日至 6 月 30 日
一种检测装置，能感受到被测量的信息，并按一定
传感器 指 规律变换为电信号或其他所需形式的信息输出，以
满足信息的传输、处理、存储、显示、记录、控制
等要求
单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见
分立器件 指 的分立式半导体器件有二极管、三极管、光电器件
等
功率 IC 指 功率集成电路，常见的功率 IC 包括电源管理芯片、
电机驱动芯片、LED 驱动芯片、音频功放芯片等
功率半导体 指 功率器件与功率 IC 的统称
半导体制作所用的圆形硅晶片。在硅晶片上可加工
晶圆 指 制作各种电路元件结构，成为有特定电性功能的集
成电路产品
处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模
模拟芯片 指 拟信号是指用电参数，如电流和电压，来模拟其他
自然物理量而形成的连续性的电信号
氮化镓、GaN 指 一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁
场高、电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等性质
高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种
超结 MOS 指 新型功率器件，在平面垂直双扩散金属-氧化物半导
体场效应晶体管的基础上，引入电荷平衡结构
一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、
碳化硅、SiC 指 临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高
等性质
Bipolar-CMOS-DMOS 的简称，BCD 是一种单片集
BCD 指 成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极
管 bipolar，CMOS 和 DMOS 器件，称为 BCD 工艺
FRD 指 快恢复二极管，是一种具有开关特性好、反向恢复
时间短特点的半导体二极管

IDM 指 IDM 模式是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试
在内全部或主要业务环节的经营模式
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性
IGBT 指 晶体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能
力强、功率控制能力高、工作频率高等特点
TMBS 指 沟槽式肖特基势垒二极管，简称 TMBS（Trench MOS
Barrier Schottky）
IPM 指 智能功率模块，由高速低功耗的管芯和优化的门极
驱动电路以及快速保护电路构成
LED 指 Lighting Emitting Diode，发光二极管，是一种半导
体固体发光器件
LV Trench MOS、Trench MOS、 低压沟槽型 MOSFET，是低压 MOS 的一种，在体硅
沟槽型 MOS 指 表面刻蚀沟槽形成栅电极，将传统平面 MOS 沟道由
表面转移到体内
微控制单元，是把中央处理器的频率与规格做适当
智能控制、MCU 指 缩减，并将内存、计数器、USB 等周边接口甚至驱
动电路整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机
微机电系统。指集微型机构、微型传感器、微型执
MEMS 指 行器以及信号