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微导纳米(688147):立足ALD布局光伏&半导体,拓展CVD打开成长空间

东吴证券(香港)   2024-03-01发布
微导纳米为ALD设备龙头,依托这一-平台型技术拓展光伏&半导体领

  域的应用。微导纳米成立于2015年,将ALD应用至光伏(2022年收

  入占比73%)、半导体(2022年收入占比7%)、新型显示等领域。

   ALD技术:自限制性优势明显,应用领域广泛。相较于PVD、CVD等

  薄膜沉积技术,ALD最大的特点在于自限制性,这一特点使其具备薄

  膜控制精确度高和台阶覆盖率高的优势,特别适合在对薄膜质量要求

  高和内部结构复杂的领域应用,包括光伏、半导体等。

   光伏ALD适用多条技术路线,微导纳米为国内龙头。ALD设备可用

  于PERC、TOPCon、钙钛矿等,公司均有相应布局,ALD设备市占率

  领先,并拓展了PECVD、PEALD、扩散退火、TOPCon整线工艺解决

  方案等,受益于下游扩产,2023年公司光伏领域新签订单为去年同期

  的2.92倍。

   半导体先进逻辑及存储领域ALD渗透率提升。随着45nm以下先进制

  程的发展,原来用于成熟制程的PVD、CVD等无法满足部分工序要求,

  ALD的应用环节逐步拓宽,其膜厚精度控制和高台阶覆盖率的特性适

  合在45nm以下节点以及复杂的3D结构等领域应用。(1)逻辑:45nm

  先进制程下栅介质层适用high-K材料,ALD适用于沉积该种材料,

  20nm先进制程下器件由MOSFET转向结构更复杂的FinFET,5nm以

  下向GAAFET转变,ALD高覆盖率的优势显著;(2)存储:3DNAND、

  DRAM等存储器件的复杂结构需要高深宽比,ALD具备良好的台阶覆

  盖能力。

   存储领城空间更大&头部存储器厂有望重启扩产,微导纳米为ALD龙

  头充分受益。相较于逻辑,ALD在存储领域具备更大的市场,相近制

  程下存储所需的ALD设备数量约为逻辑的4-5倍;一线存储厂商2023

  年受政策影响扩产暂缓,未来随着国产技术突破及国产设备引入,资本

  开支有望加速,利好国产设备商,目前ALD设备TEL和ASM合计占

  比约75%,微导纳米为国内ALD领军者,逻辑&存储市场开拓顺利,

  2023年半导体领城新签订单是去年同期的3.29倍。

   依托ALD技术延展性&客户协同性,微导纳米布局CVD设备。CVD

  市场空间约为ALD的2-3倍且国产化率仍有待提升,如拓荆科技在

  PECVD和SACVD市场份额分别为17%和25%,微导纳米进一步拓展

  CVD设备,进行差异化竞争,以打开更大的市场空间。

   盈利预测与投资评级:我们预计微导纳米2023-2025年归母净利润分

  别为2.8/6.0/8.1亿元,当前股价对应动态PE分别为分别60/28/21倍,

  首次覆盖给予"增持"评级。

   风险提示:光伏下游装机量和扩产不及预期,晶圆厂资本开支下滑的风.

  险,研发进展不及预期。

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